IXFT150N25X3HV

超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。

凭借较低的反向恢复电荷和时间，体二极管能够在高速开关期间消除所有的剩余能量，避免器件故障并提高效率。

此外，这些新型器件具有雪崩功能，并表现出一流的dv/dt性能。它们对电压尖峰造成的器件故障和MOSFET结构中固有的寄生双极晶体管意外开启具有较强的抵抗性。因此，这些坚固的器件需要较少的缓冲，并可用于硬开关功率转换器和软开关功率转换器。