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IXTK400N15X4
DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3) | Series: X4级
这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量，最大限度地减少开关损耗。较低的栅极电荷可在轻负荷条件下提高效率，并降低栅极驱动要求。此外，这些MOSFET经过雪崩评级，展现出一流的dv/dt性能。此外凭借通态电压的正温度系数，它们还可并联工作以满足更高的电流要求。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | 150 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.0031 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 400 |
栅极电荷（nC） | 430 |
RthJC（K/W） | 0.1 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-264K |
CISS (pF) | 14500 |
trr,typ (ns) | 175 |
PD (W) | 1500 |
TJ Max (°C) | 175 |
CRSS (pF) | 8 |
- Low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg
- dv/dt强度
- 雪崩功能
- 国际标准包装
IXTK400N15X4 应用
- Synchronous rectification in switching power supplies
- 电机控制(48V-80V系统)
- DC-DC转换器
- 不间断电源
- 电动叉车
- D级音频放大器
- 电信系统
IXTK400N15X4资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTK400N15X4 | DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3) | 查看更多 |
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