链接已复制到剪贴板
MMIX1T500N20X4
SMPD-X封装的单个X4 MOSFET | 系列号：X4级| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | 200 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.00199 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 480 |
栅极电荷（nC） | 535 |
RthJC（K/W） | 0.14 |
配置 | 单相 |
CISS (pF) | 41.5 |
trr，最大 (ns) | 175 |
- 阻断电压VDSS = 200 V，RDS(on) = 1.99 mΩ
- 高电流能力，ID25 = 480 A
- 基于DCB的隔离封装
- 具有高功率密度的紧凑型设计
- 低传导损耗，减少散热
- 支持并联器件较少的大功率应用
- 降低整体热阻RthJS
- 重量轻，易于组装
- 减少热管理工作
MMIX1T500N20X4 应用
- 直流负载开关
- 电池储能系统
- 工业和过程电源
- 无人机和垂直起降
- 工业充电基础设施
MMIX1T500N20X4资源
链接已复制到剪贴板显示 1 到 2 的 2 总结果
分享
| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMIX1T500N20X4-TR | SMPD-X封装的单个X4 MOSFET | 查看更多 | |||||||
| MMIX1T500N20X4-TU | SMPD-X封装的单个X4 MOSFET | 查看更多 |
如果您要查找的产品环境信息未出现在此选项卡中，请填写 产品环境信息申请表。
MMIX1T500N20X4 - EN