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IXTQ10P50P
盘式MOSFET P通道-极性TO-3P （3） | 系列号：Polar
Polar™ P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，与传统同类产品相比，该平台可显著降低30%的导通电阻（RDSon）和40%的栅极电荷（Qg），从而降低传导损耗并提供出色的开关性能。它们经过动态dv/dt和雪崩额定，在恶劣的作业环境中极为坚固耐用，并且凭借具有正温度系数的导通电阻可实现轻松并联。
这些MOSFET具有出类拔萃的性能和具有竞争力的价格，是各种应用的理想选择。应用包括推挽式放大器、降压转换器、直流斩波器、功率固态继电器、CMOS高功率放大器、高电流调节器以及汽车和测试设备的高压侧开关。Polar P通道功率MOSFET具有一流的强度，也是电机控制和电源切断开关或节能应用中功率SSR的理想器件选择。
优势：
- 简单的驱动要求带来较低的栅极电荷
- 高功率密度
- 易于并联
- 快速切换
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | -500 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 1 |
ID， cont @ 25 °C （A） | -10 |
栅极电荷（nC） | 50 |
RthJC（K/W） | 0.42 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-3P |
CISS (pF) | 2840 |
trr,typ (ns) | 414 |
PD (W) | 300 |
- 快速本征二极管
- Rugged PolarP™工艺
- 雪崩评级
- 较低的封装电感
- 动态dv/dt额定
IXTQ10P50P 应用
- 高压侧开关
- 推挽式放大器
- DC-DC和DC-AC转换器
- 自动测试设备
- 电池充电器应用
- 电流调节器
IXTQ10P50P资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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