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IXTQ10P50P

产品状态| 有源i

IXTQ10P50P

盘式MOSFET P通道-极性TO-3P (3) | 系列号:Polar
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Polar™ P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造,与传统同类产品相比,该平台可显著降低30%的导通电阻(RDSon)和40%的栅极电荷(Qg),从而降低传导损耗并提供出色的开关性能。它们经过动态dv/dt和雪崩额定,在恶劣的作业环境中极为坚固耐用,并且凭借具有正温度系数的导通电阻可实现轻松并联。

这些MOSFET具有出类拔萃的性能和具有竞争力的价格,是各种应用的理想选择。应用包括推挽式放大器、降压转换器、直流斩波器、功率固态继电器、CMOS高功率放大器、高电流调节器以及汽车和测试设备的高压侧开关。Polar P通道功率MOSFET具有一流的强度,也是电机控制和电源切断开关或节能应用中功率SSR的理想器件选择。

优势:

  • 简单的驱动要求带来较低的栅极电荷
  • 高功率密度
  • 易于并联
  • 快速切换
参数数值
VDSS (V)
-500
RDS(ON),最高 @ 25 °C (Ω)
1
ID, cont @ 25 °C (A)
-10
栅极电荷(nC)
50
RthJC(K/W)
0.42
配置
单相
封装
类型
TO-3P
CISS (pF)
2840
trr,typ (ns)
414
PD (W)
300
  • 快速本征二极管
  • Rugged PolarP™工艺
  • 雪崩评级
  • 较低的封装电感
  • 动态dv/dt额定

IXTQ10P50P 应用

亮点部分

  • 高压侧开关
  • 推挽式放大器
  • DC-DC和DC-AC转换器
  • 自动测试设备
  • 电池充电器应用
  • 电流调节器

IXTQ10P50P资源

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产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC's)声明REACH(SVHC's)无卤素IPC-材料声明
IXTQ10P50P盘式MOSFET P通道-极性TO-3P (3)

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