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IXTH11P50
盘式MOSFET P通道-STD TO-247AD | 系列号：标准
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-247和可表面贴装的TO-268封装。这些产品是降压转换器以及需要接地的负载的理想选择。它们可与对等的N通道MOSFET搭配，组成互补对，从而适用于需要图腾柱输出的多种应用。
优势：
- 高功率密度
- 安装简便
- 节省空间
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | -500 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.75 |
ID， cont @ 25 °C （A） | -11 |
栅极电荷（nC） | 145 |
RthJC（K/W） | 0.42 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-247 |
CISS (pF) | 4600 |
PD (W) | 300 |
trr,typ (ns) | 500 |
- 低RDS(on) HDMOS过程
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 雪崩评级
- 较低的封装电感
- 国际标准包装
IXTH11P50 应用
- 高压侧开关
- 推挽式放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备
IXTH11P50资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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