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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱动电路，避免使用N通道MOSFET通常涉及的额外“高压侧”驱动电路。这让设计人员可以减少元件数量，从而简化驱动电路并改善整体元件成本结构。此外，它还支持采用对应的N通道MOSFET设计互补功率输出级，将功率半桥级与简单的驱动电路配对。
优势：
- 较低的栅极电荷可简化驱动要求
- 高功率密度
- 快速切换
- 快速本征二极管
- Low Qg and RDSon
- 雪崩评级
- 加大的FBSOA
- 国际标准包装
Trench Gate Parts
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筛选
沟槽栅 应用
- 高压侧开关
- 负载开关
- 低电压应用
- 高效开关电源
- 逆变器和电池充电器
