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IXTA76P10T
盘式MSFT PChan沟槽栅TO-263D2 | 系列号：沟槽栅
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱动电路，避免使用N通道MOSFET通常涉及的额外“高压侧”驱动电路。这让设计人员可以减少元件数量，从而简化驱动电路并改善整体元件成本结构。此外，它还支持采用对应的N通道MOSFET设计互补功率输出级，将功率半桥级与简单的驱动电路配对。
优势：
- 较低的栅极电荷可简化驱动要求
- 高功率密度
- 快速切换
| 参数 | 数值 |
|---|---|
VDSS (V) | -100 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.025 |
ID， cont @ 25 °C （A） | -76 |
栅极电荷（nC） | 197 |
RthJC（K/W） | 0.42 |
配置 | 单相 |
封装 类型 | TO-263 |
CISS (pF) | 13700 |
trr,typ (ns) | 70 |
PD (W) | 298 |
- 快速本征二极管
- 较低的Qg和RDSon
- 雪崩评级
- 加大的FBSOA
- 国际标准包装
IXTA76P10T 应用
- 高压侧开关
- 负载开关
- 低电压应用
- 高效开关电源
- 逆变器和电池充电器
IXTA76P10T资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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