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IXTA76P10T

产品状态| 有源i

IXTA76P10T

盘式MSFT PChan沟槽栅TO-263D2 | 系列号:沟槽栅
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱动电路,避免使用N通道MOSFET通常涉及的额外“高压侧”驱动电路。这让设计人员可以减少元件数量,从而简化驱动电路并改善整体元件成本结构。此外,它还支持采用对应的N通道MOSFET设计互补功率输出级,将功率半桥级与简单的驱动电路配对。

优势:

  • 较低的栅极电荷可简化驱动要求
  • 高功率密度
  • 快速切换
参数数值
VDSS (V)
-100
RDS(ON),最高 @ 25 °C (Ω)
0.025
ID, cont @ 25 °C (A)
-76
栅极电荷(nC)
197
RthJC(K/W)
0.42
配置
单相
封装
类型
TO-263
CISS (pF)
13700
trr,typ (ns)
70
PD (W)
298
  • 快速本征二极管
  • 较低的Qg和RDSon
  • 雪崩评级
  • 加大的FBSOA
  • 国际标准包装

IXTA76P10T 应用

亮点部分

  • 高压侧开关
  • 负载开关
  • 低电压应用
  • 高效开关电源
  • 逆变器和电池充电器

IXTA76P10T资源

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产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC's)声明REACH(SVHC's)无卤素IPC-材料声明
IXTA76P10T盘式MSFT PChan沟槽栅TO-263D2

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