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IXSH80N120L2KHV

产品状态| 有源i

IXSH80N120L2KHV

采用TO247-4L HV封装的碳化硅MOSFET | 系列号:碳化硅MOSFET
info
工业级单开关SiC MOSFET具有良好的功率循环特性和超快速、低损耗的切换行为。这些MOSFET推荐用于高速工业开关模式电源。
参数数值
状态
有源
VDSS (V)
1200
RDS(ON),最高 @ 25 °C (Ω)
0.03
ID, cont @ 25 °C (A)
80
RthJC(K/W)
0.38
TJ Max (°C)
175
  • 1200 V,低RDS(on) = 30 mΩ
  • 碳化硅MOSFET技术,-3/+15...+18 V栅极驱动
  • 低输入电容 Ciss = 3000 pF
  • Tvj = 175 ⁰C 的最高虚拟结温
  • trr = 45.5 ns的超快本征体二极管
  • 开尔文源极连接
  • 低传导损耗
  • 较低的栅极驱动功率要求
  • 减少热管理工作量
  • 适用于 had 转换
  • 优化的门极控制

IXSH80N120L2KHV 应用

亮点部分

  • 太阳能逆变器
  • UPS
  • 高压DC/DC转换器
  • 开关模式电源
  • 电动汽车充电基础设施
  • 电机驱动器
  • 感应加热
  • 工业电源设备

IXSH80N120L2KHV资源

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产品号零件描述RoHS无铅RoHS(2015/863/EU)认证REACH(SVHC's)声明REACH(SVHC's)无卤素IPC-材料声明
IXSH80N120L2KHV采用TO247-4L HV封装的碳化硅MOSFET

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