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IXSH80N120L2KHV
采用TO247-4L HV封装的碳化硅MOSFET | 系列号：碳化硅MOSFET
工业级单开关SiC MOSFET具有良好的功率循环特性和超快速、低损耗的切换行为。这些MOSFET推荐用于高速工业开关模式电源。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
状态 | 有源 |
VDSS (V) | 1200 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.03 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 80 |
RthJC（K/W） | 0.38 |
TJ Max (°C) | 175 |
- 1200 V，低RDS（on） = 30 mΩ
- 碳化硅MOSFET技术，-3/+15...+18 V栅极驱动
- 低输入电容 Ciss = 3000 pF
- Tvj = 175 ⁰C 的最高虚拟结温
- trr = 45.5 ns的超快本征体二极管
- 开尔文源极连接
- 低传导损耗
- 较低的栅极驱动功率要求
- 减少热管理工作量
- 适用于 had 转换
- 优化的门极控制
IXSH80N120L2KHV 应用
- 太阳能逆变器
- UPS
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源
- 电动汽车充电基础设施
- 电机驱动器
- 感应加热
- 工业电源设备
IXSH80N120L2KHV资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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