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IXSJ25N120R1
采用ISO247-3L封装的碳化硅MOSFET | 系列号：碳化硅MOSFET
基于高性能陶瓷基板的绝缘封装在结与散热器之间提供固有绝缘、更高的导热性并降低热阻，同时仍与行业标准尺寸兼容。这些碳化硅MOSFET旨在降低导通电阻，最大限度地减少功率损耗，同时保持出色的开关性能。因此，它们非常适合高频、高效电源管理应用，如DC/DC转换器、开关模式电源、感应加热和电机驱动器。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
状态 | 有源 |
配置 | 单相 |
VDSS (V) | 1200 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 0.062 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 25 |
RthJC（K/W） | 1.66 |
TJ Max (°C) | 150 |
VISOL,RMS (V) | 2500 |
- 1200V，低RDS（on） = 62 mΩ
- 碳化硅MOSFET技术，0/+15..+18 V栅极驱动
- 高性能陶瓷基绝缘封装
- 隔离电压 2500 VAC （RMS），1 分钟
- 低输入电容：1435 pF
- 行业标准封装外形
- 低传导损耗
- 较低的栅极驱动功率要求
- 改进整体热阻RthJH和电源处理能力
- 低热管理要求
- 提高安全性，适用于需要严格隔离标准的应用
- 低开关损耗
- 与行业标准TO-247-3L封装兼容
IXSJ25N120R1 应用
- 太阳能逆变器
- DC/DC转换器
- 开关模式电源设备
- 电动汽车充电基础设施
- 电机驱动器
- 感应加热
IXSJ25N120R1资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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