
H桥

H桥IGBT模块在相对低压的电路中用作固态开关。这些模块采用XPT(超强穿通型)绝缘栅双极晶体管架构,包括MOSFET、晶闸管和二极管。Littelfuse的子公司IXYS生产多个版本的H桥IGBT,每个版本都旨在实现连续使用、高可靠性和长寿命。
- 集电极 - 发射极额定电压为1.2 kV
- 1.7 V或1.8 V的低典型饱和电压
- 额定短路 10 μs
- 方形反向偏压安全工作区(RBSOA)是集电极额定电流的三倍
- 通态电压的正温度系数有利于并联
- 提供 SONICTM 快速恢复二极管或软恢复二极管
- 低工作正向电压
- 低栅极电荷要求
- 产生最小的电磁干扰