电容器可放大电动机的电流，增加功率因数。
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这类器件将MOSFET与IGBT的优势 相结合，拥有Vce(sat)和Vf的 正温度系数，并具有低导通损耗，因此是 高频、高功率密度应用的理想 解决方案。
1600V - 1700V反向传导（BiMOSFET™）IGBT
状态: Active, Inactive Part, Not for New Designs, Phase Out/Obsolete
VCES (V): 1600, 1700
IC @ 25 ℃ (A): 5.7, 7, 9, 10, 16, 20, 28, 33, 38, 40 更多信息
2500V - 3600V反向传导（BiMOSFET™）IGBT
状态: Active, Not for New Designs, Obsolete, Phase Out/Obsolete
VCES (V): 2500, 3000, 3600
IC @ 25 ℃ (A): 5, 26, 28, 30, 34, 38, 40, 45, 48, 50 更多信息
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