BiMOSFET将金属氧化硅场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)集成到一个类似于RC IGBT的紧凑型固态开关中,并具有单片集成二极管。BiMOSFET系列提供宽范围的阻断电压(1700V至3600V),可在110°C时处理高达75A的集电极电流,并可提供各种隔离和非隔离高压(HV)封装。此外,该系列还包括采用SMPD封装的多芯片H桥选项。
- 阻断电压高达 3600V
- 低 VCE(sat)
- 低栅极电荷 QG
- 高脉冲集电极电流
- 单片集成二极管
- 正温度系数
- 高功率密度
- 低传导损耗
- 较低的栅极驱动器要求
- 反向传导
- 易于并联