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BiMOSFET

BiMOSFET将金属氧化硅场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)集成到一个类似于RC IGBT的紧凑型固态开关中,并具有单片集成二极管。BiMOSFET系列提供宽范围的阻断电压(1700V至3600V),可在110°C时处理高达75A的集电极电流,并可提供各种隔离和非隔离高压(HV)封装。此外,该系列还包括采用SMPD封装的多芯片H桥选项。
  • 阻断电压高达 3600V
  • 低 VCE(sat)
  • 低栅极电荷 QG
  • 高脉冲集电极电流
  • 单片集成二极管
  • 正温度系数
  • 高功率密度
  • 低传导损耗
  • 较低的栅极驱动器要求
  • 反向传导
  • 易于并联

BiMOSFET 零件

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BiMOSFET 应用

亮点部分

  • 电容放电电路
  • 感应加热
  • 雷达脉冲调制器
  • 谐振模式电源
  • 激光和X射线发生器
  • 高压脉冲电源电路
  • 高压测试设备