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穿通型(PT)IGBT在处理100 kHz至200 kHz范围内的信号时,执行快速切换,低传导损耗。Littelfuse生产的所有PT绝缘栅双极晶体管都是低压电路中金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的经济高效替代品。我们的GenX3
TM
IGBT针对大功率转换应用进行了优化。请参阅我们的
电源半导体产品目录
找到最佳解决方案。
功能与特色
额定电压为600Vdc或1.2kVdc
低电压饱和点为2.5Vdc至3.4Vdc
处理42A至120A之间的电流
雪崩评级
方形反向偏压安全工作区(RBSOA)
特色
高功率密度
加入金属氧化物半导体(MOS)栅极可简化导通
提供三种配置,其中两种具有栅极、发射极和集电极,而另一种只有栅极和发射极
三种配置允许设计人员根据开关频率、效率和成本选择最佳方案
提供JEDEC TO标准封装
适合表面安装或单螺钉安装
可选配一个反并联快速恢复二极管
PT零件
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