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N沟道耗尽型
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N沟道耗尽型MOSFET为始终开启的电路提供可靠的开关和电流调节解决方案,例如用于紧急和防盗报警的电路。这些金属氧化物半导体场效应晶体管在固态开关上正常工作。与其他MOSFET不同,它们无需启动电压即可断开。与其他MOSFET一样,它们可轻松安装在印刷电路板上。
功能与特色
额定电压为 1kV dc
常开运行
阻断电压范围为 100 V dc 至 1700 V dc
导通时电阻低(即 1.4 Ω、10 Ω)
UL 94 易燃性等级为 V-0 的环氧树脂外壳
特色
要求栅极接通电压为零
高功率密度
确保始终接通电路中的低功率损耗
易于安装在 PCB 上
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