超结N沟道MOSFET拥有所有金属氧化半导体场效应晶体管中最低的导通电阻。固态开关还通过采用快速恢复二极管提高了效率,减少了对缓冲二极管的需求,并降低了换向故障的风险。超级结N沟道MOSFET专为高速和硬开关进行了优化,应用包括DC-DC转换器、电动叉车、电机驱动器、车载电池充电器、功率因数校正电路和电信设备。
- 提供135 VDSS至1 kVDSS的漏极-源极额定电压范围
- 超低导通电阻额定值(例如,2.5 mΩ 至 21 mΩ)
- 具有极宽的典型漏极电流(ID25)额定值范围,从2 A至200 A
- 栅极电荷要求低至7 nC
- 高功率密度
- 低栅极电荷确保在处理较低电流负载的同时提高效率
- 软恢复减少电磁干扰
- 适合并联
- 低电感国际标准封装