系列: X4级

这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻R_DS(on)和栅极电荷Q_{g显著更低的功率MOSFET。}较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量，最大限度地减少开关损耗。较低的栅极电荷可在轻负荷条件下提高效率，并降低栅极驱动要求。此外，这些MOSFET经过雪崩评级，展现出一流的dv/dt性能。此外凭借通态电压的正温度系数，它们还可并联工作以满足更高的电流要求。