电容器可放大电动机的电流,增加功率因数。
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增强模式碳化硅MOSFET,1200 V,80 mOhm,N通道
额定电压(V): 1200
导通电阻典型值(mOhm): 80
额定电流(A): 25
增强模式碳化硅MOSFET,1200 V,120 mOhm,N通道
导通电阻典型值(mOhm): 120
额定电流(A): 18
增强模式碳化硅MOSFET,1200 V,160 mOhm,N通道
导通电阻典型值(mOhm): 160
额定电流(A): 14
LSIC1MO120G0025 1200 V, 25 mOhm N通道碳化硅MOSFET
导通电阻典型值(mOhm): 25
额定电流(A): 70
LSIC1MO120G0040 1200 V, 40 mOhm N通道碳化硅MOSFET
导通电阻典型值(mOhm): 40
额定电流(A): 40
LSIC1MO120G0080 1200 V, 80 mOhm N通道碳化硅MOSFET
LSIC1MO120G0120 1200 V, 120 mOhm N通道碳化硅MOSFET
LSIC1MO120G0160 1200 V, 160 mOhm N通道碳化硅MOSFET
LSIC1MO170E0750 1700 V, 750 mOhm N通道碳化硅MOSFET
额定电压(V): 1700
导通电阻典型值(mOhm): 750
额定电流(A): 4.4
增强模式碳化硅MOSFET,1700 V,1 Ohm,N通道
额定电流(A): 3.5
LSIC1MO170T0750 1700 V,750 mOhm N通道碳化硅MOSFET
额定电流(A): 4.5
MCB60I1200TZ
状态: 有源
VDSS (V): 1200
最高Rds(on) @ 25°C (mΩ): 34
采用SOT227封装的碳化硅MOSFET
状态: Active, Not for New Designs, Phase Out/Obsolete
VDSS (V): 900, 1200, 1700
最高Rds(on) @ 25°C (mΩ): 12, 27, 34, 42, 47, 48, 90, 98
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