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这款瞬态抑制二极管采用专有硅雪崩技术，为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备的每个输入/输出引脚提供高级别保护。这些瞬态抑制二极管功能强大，可以安全地吸收±30kV的反复性ESD冲击（接触放电，IEC 61000-4-2），且性能不会下降。此外，瞬态抑制二极管可以超低箝位电压安全耗散7A 8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5第2版）。
- ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电
- EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns）
- 雷击，7A（8/20μs，如IEC 61000-4-5第2版所定义）
- 5V下的（最大）低泄漏电流为100μA
- 符合PPAP要求
- 小型SOD882（JEDEC MO-236）封装可节省电路板空间
- 焊脚体积符合0402（1005）行业标准的元件
- 符合AEC-Q101
- 无卤素，无铅，符合RoHS
- 湿度灵敏性等级(MSL -1)
AQ1003-01ETG Parts
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