SP3522 系列 - 0.15pF 22kV雪崩二极管

TVS Diode Array SP3522 Image
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SP3522集成超低电容阴极 - 阴极 硅雪崩二极管,为可能经历 破坏性静电放电(ESD) 的电子设备提供保护。 这款功能强大的二极管可以 在IEC61000-4-2国际标准规定的最高 级别(8KV接触放电) (±安全地吸收反复性ESD放电,而性能不会下降。 超低的负载电容也使其成为 保护V-By-One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE 1394®, 等高速信号引脚的理想之选

特征和优势:

  • ESD IEC61000-4-2,±22kV(触点),±22kV(空气)
  • EFT、IEC61000-4-4、40A (tP=5/50ns)
  • 雷击,IEC61000-4-5第2版,2.5A (tp=8/20μs)
  • 3GHz条件下电容低至0.15pF (TYP)
  • 小尺寸0201 DFN封装和SOD882封装
  • 实现极佳的信号完整性
  • 符合ELV标准
  • 湿度灵敏性等级(MSL-1)
  • 符合AEC-Q101
  • 无卤素,无铅,符合RoHS

应用:

  • 超高速数据线
  • USB 3.1, 3.0, 2.0
  • HDMI 2.0, 1.4a, 1.3
  • DisplayPort(TM)
  • V-by-One®
  • LVDS接口
  • 消费类、移动及便携式电子产品
  • 带有高速接口的平板电脑和外部存储设备
  • 需要小尺寸封装、高ESD性能的应用 

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Catalog #Standoff
Voltage
(V)
ILeak
(μA)
ESD Contact
(kV)
ESD Air
(kV)
Lightning
Immunity
(8x20μs)
(A)
Clamp
Voltage
CI/OTYP
(pF)
PolarityChannelsMIN VBR@IT
(V)
PackagePartner ECAD ModelsStockSamplesCompare
产品号断态
电压
(V)
I漏率
(μA)
ESD触点
(kV)
静电放电(空气)
(kV)
雷击
防护
(8x20μs)
(A)
箝位
电压
CI/OTYP
(pF)
极性通道最小值VBR@IT
(V)
封装合作伙伴ECAD模型库存样品比较
SP3522-01ETG 71±22±222.514.5V@2.5A0.15双向1NASOD882SP3522-01ETG Check订购
SP3522-01UTG 71±22±222.514.5V@2.5A0.15双向1NAuDFN0603SP3522-01UTG Check订购
产品编号 零件描述 RoHS 无铅 RoHS (2015/ 863/EU)认证 REACH(SVHC's)声明 无卤素 REACH(SVHC's) IPC-材料声明
SP3522-01ETG Bi-dir. 0.15pF 22kv 5V SOD882 TVS RoHS 05/10/2018 PbFree 05/10/2018 CoC_RoHS10_SP3522-01ETG REACH_SVHC Declaration_SP3522-01ETG
05/10/2018
不含 IPC_SP3522-01ETG__-XF
SP3522-01UTG Bi-dir. 0.15pF 22kv 5V 0201 DFN TVS RoHS 03/26/2018 PbFree 03/26/2018 CoC_RoHS10_SP3522-01UTG REACH_SVHC Declaration_SP3522-01UTG.pdf
03/26/2018
不含 IPC_SP3522-01UTG_XK
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