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用于ESD保护的4pF、8kV、双向TVS二极管
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断态 电压 (V): 6
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I漏率 (μA): 1
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箝位 电压: 10
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已淘汰 - 芯片级封装瞬态电压抑制雪崩二极管
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断态 电压 (V): 5.9
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I漏率 (μA): 10
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CI/OTYP (pF): 30
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表面贴装TVS雪崩二极管阵列
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断态 电压 (V): 5.5
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I漏率 (μA): 10
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ESD触点 (kV): 30
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已淘汰 - SP05xAA - TVS轨夹阵列
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断态 电压 (V): 5.5
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I漏率 (μA): 0.1
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ESD触点 (kV): 8, 15
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单极芯片级封装的TVS雪崩二极管阵列
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断态 电压 (V): 5.5
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I漏率 (μA): 10
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ESD触点 (kV): 25
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双极芯片级封装的TVS雪崩二极管阵列
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断态 电压 (V): 5.9
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I漏率 (μA): 10
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ESD触点 (kV): 18
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带一只雪崩二极管的TVS轨夹阵列
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断态 电压 (V): 5.5
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I漏率 (μA): 0.1
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ESD触点 (kV): 8, 15
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雷击电涌保护3.3伏75安轨夹阵列
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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20安2.5伏低电容雷电浪涌保护二极管阵列
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断态 电压 (V): 2.5
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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20安3.3伏低电容雷电浪涌保护二极管阵列
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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用于ESD和过压保护的SCR/二极管阵列
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断态 电压 (V): 30
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ESD触点 (kV): 4
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静电放电(空气) (kV): 15
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用于ESD和过压保护的SCR/二极管阵列
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断态 电压 (V): 30
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ESD触点 (kV): 4
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静电放电(空气) (kV): 15
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用于ESD和过压保护的SCR/二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 否
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断态 电压 (V): 30
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I漏率 (μA): 0.02
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瞬态抑制二极管阵列
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断态 电压 (V): 2.8
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ESD触点 (kV): 30
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静电放电(空气) (kV): 30
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瞬态抑制二极管阵列
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断态 电压 (V): 2.8
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ESD触点 (kV): 30
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静电放电(空气) (kV): 30
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符合AEC-Q101标准
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 1.5
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0.5pF 12KV二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 1.5
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SP1255系列VBUS电流为160A
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 13.5
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I漏率 (μA): 1
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0.35pF 20kV单向分散式TVS
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.02
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ESD触点 (kV): ±20
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用于ESD保护的5pF、8kV、双向TVS阵列
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断态 电压 (V): 6
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ESD触点 (kV): 8
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静电放电(空气) (kV): 15
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用于ESD和过压保护的SCR/二极管阵列
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断态 电压 (V): 20
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I漏率 (μA): 0.01
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ESD触点 (kV): 8
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1.0pF 22KV二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 0.025
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30pF 30kV双向分散式TVS
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符合AEC-Q101标准: 否
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断态 电压 (V): 6
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I漏率 (μA): 0.1
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3.3V多线路高浪涌ESD保护
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断态 电压 (V): 2.5
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): ±30
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30pF 30kV双向分散式TVS
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 0.1
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ESD触点 (kV): ±30
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12kV双向分散式TVS
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 0.1
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ESD触点 (kV): ±12
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8pF 12kV单向分散式TVS
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断态 电压 (V): 6
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I漏率 (μA): 0.06
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ESD触点 (kV): ±12
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30pF 30kV单向分散式TVS
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断态 电压 (V): 6
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): ±30
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SP1124T分散式单向瞬态抑制二极管
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断态 电压 (V): 24
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): ±30
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12A分散式单向瞬态抑制二极管
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): ±30
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20A分散式单向瞬态抑制二极管
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): ±30
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