雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术,可保护每个输入/输出引脚,为可能经历破坏性静电放电 (ESD)的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大,可安全吸收±30kV(接触和空气放电,IEC 61000-4-2)时反复性ESD震击,性能无任何降低。 Additionally, each diode can safely dissipate 80A (SC1105) of 8/20μs surge current (IEC 61000-4-5 2nd edition) with very low clamping voltages.