SP1064E 系列 - 14pF 25KV瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse TVS Diode Array SP1064E Image
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SP1064E雪崩击穿二极管采用专有硅雪崩技术,保护每个输入/输出引脚,为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供高级别保护。 这些功能强大的二极管可以安全地吸收高于IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别(4级,±8kV接触放电)的反复性ESD放电,且性能不会下降。

特征和优势:

  • ESD,IEC 61000-4-2,±25kV接触放电,±30kV空气放电
  • EFT,IEC 61000-4-4,40A(5/50ns)
  • 浪涌容差,IEC 61000-4- 5第2版,3.5A (8/20us)
  • 低电容:每次输入/输出的电容为14.0pF (TYP)
  • 60V电压下的泄漏电流低至0.05μA(典型值)
  • 小型μDFN (JEDEC MO-229)封装节省了电路板空间
  • 无卤素,无铅,符合RoHS
  • 湿度灵敏性等级(MSL -1)

应用:

  • LCD/PDP电视
  • DVD播放机
  • 台式电脑
  • MP3/PMP
  • 机顶盒
  • 手机
  • 笔记本电脑
  • 数码相机

 

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Catalog #AEC-Q101 QualifiedStandoff
Voltage
(V)
ILeak
(μA)
ESD Contact
(kV)
ESD Air
(kV)
Lightning
Immunity
(8x20μs)
(A)
Clamp
Voltage
CI/OTYP
(pF)
PolarityChannelsPackagePartner ECAD ModelsStockSamples
产品号符合AEC-Q101标准断态
电压
(V)
I漏率
(μA)
ESD触点
(kV)
静电放电(空气)
(kV)
雷击
防护
(8x20μs)
(A)
箝位
电压
CI/OTYP
(pF)
极性通道封装合作伙伴ECAD模型库存样品
SP1064E-04UTG Yes600.05±30±253.5102V@3.5A14双向4uDFN2510-10LSP1064E-04UTG Check订购
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