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2.5pF,30A分散式瞬态抑制二极管
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.1
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2.5V, 30A二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 否
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断态 电压 (V): 2.5
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I漏率 (μA): 0.1
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2.5V, 30A二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 否
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断态 电压 (V): 2.5
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I漏率 (μA): 0.1
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10V,23A,0.48pF二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 否
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断态 电压 (V): 10
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I漏率 (μA): 0.2
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2.5pF,25A分散式瞬态抑制二极管
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 0.5
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3.3V 150A二极管阵列
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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2.8V 40A TVS阵列
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断态 电压 (V): 2.8
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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8V 40A TVS阵列
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断态 电压 (V): 2.8
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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2.8V 40A TVS阵列
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断态 电压 (V): 1.1
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): ±30
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2.8V 30A TVS阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 2.8
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I漏率 (μA): 0.1
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用于宽带保护设备的150安培6伏低电容二极管阵列
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断态 电压 (V): 6
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I漏率 (μA): 25
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ESD触点 (kV): 30
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以太网供电PSE保护
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 58
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I漏率 (μA): 1
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VBUS电流为120A,采用uDFN-6封装
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 15
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I漏率 (μA): 1
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3.3V 75A二极管阵列
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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2.5V 20A二极管阵列
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断态 电压 (V): 2.5
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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2.5V 45A二极管阵列
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断态 电压 (V): 2.5
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): ±30
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6V 20A二极管阵列
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断态 电压 (V): 6
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I漏率 (μA): 0.1
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ESD触点 (kV): 30
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3.3V 20A二极管阵列
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): 30
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3.3V 15A二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.05
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SP3374NUTG 3.3V 40A二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.5
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3.3V, 15A二极管阵列
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): ±30
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2.5pF,30A分散式瞬态抑制二极管
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.1
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ESD触点 (kV): 30
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2.5pF,25A分散式瞬态抑制二极管
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): 30
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1.3pF,15A分散式瞬态抑制二极管
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 12
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I漏率 (μA): 0.1
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1.3pF,12A分散式瞬态抑制二极管
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 15
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I漏率 (μA): 0.1
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1.3pF,7A分散式瞬态抑制二极管
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 24
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I漏率 (μA): 0.1
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3.3V二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.1
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低电压、低电容浪涌保护二极管阵列
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断态 电压 (V): 2.5
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ESD触点 (kV): 30
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静电放电(空气) (kV): 30
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3.0pF,30A分散式瞬态抑制二极管
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 8
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I漏率 (μA): 0.02
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5V 25A二极管阵列
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 5
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ESD触点 (kV): 30
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70V 40A二极管阵列
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断态 电压 (V): 70
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I漏率 (μA): 5
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ESD触点 (kV): 30
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8pF 30A二极管阵列
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 10
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ESD触点 (kV): 30
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8pF 35A二极管阵列
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): 30
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