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15kV二极管阵列——符合AEC-Q101标准
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断态 电压 (V): 5.0
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): 15
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0.35pF,18kV二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.1
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0.32pF, 6A二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.1
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5V 10A TVS二极管阵列
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): ±30
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符合AEC-Q101标准
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 1.5
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0.5pF 12KV二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 5.0
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I漏率 (μA): 1.5
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0.5pF,12kV二极管阵列,用于μUSB
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 4
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I漏率 (μA): 0.1
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1pF,±30kV二极管阵列
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断态 电压 (V): 5
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I漏率 (μA): 1
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ESD触点 (kV): ±30
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0.5pF,8kV二极管阵列
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断态 电压 (V): 6
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): 8
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用于ESD保护的超低电容二极管阵列
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断态 电压 (V): 6
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ESD触点 (kV): 8
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静电放电(空气) (kV): 15
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0.35pF 30kV双向分散式TVS
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断态 电压 (V): 5.3
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I漏率 (μA): 0.10
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ESD触点 (kV): ±30
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0.35pF 20kV单向分散式TVS
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断态 电压 (V): 3.3
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I漏率 (μA): 0.02
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ESD触点 (kV): ±20
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0.3pF 10KV双向分散式TVS
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断态 电压 (V): 18.0
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): ±10
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0.3pF 10KV双向分散式TVS
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断态 电压 (V): 28
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I漏率 (μA): 0.05
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ESD触点 (kV): ±10
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0.2pF 22kV二极管阵列
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断态 电压 (V): 5.0
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I漏率 (μA): 0.050
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ESD触点 (kV): +20/-10
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0.15pF 20KV二极管阵列
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断态 电压 (V): 5.0
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I漏率 (μA): 0.05
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ESD触点 (kV): ±20
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针对高速应用的超低电容常规模式和差分模式保护。
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断态 电压 (V): 5.0
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I漏率 (μA): 0.5
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ESD触点 (kV): +30/-23
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0.5pF 12KV二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: 是
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断态 电压 (V): 5.0
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I漏率 (μA): 1.5
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断态 电压 (V): 6
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I漏率 (μA): 0.1
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ESD触点 (kV): 20
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