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Littelfuse新型TPSMB非对称瞬态抑制二极管为汽车碳化硅MOSFET提供卓越的栅极驱动器保护

专为下一代电动汽车基础设施而设计,为节能车载充电和逆变器提供紧凑的单组件解决方案

芝加哥2024年12月17日讯-- Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 TPSMB非对称瞬态抑制二极管系列,这是市场上首款非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管,专为保护汽车应用中的碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器而设计。这款创新产品可满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求,提供紧凑的单组件解决方案,取代传统上用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS组件。请查看 视频

TPSMB非对称瞬态抑制二极管系列可为碳化硅MOSFET栅极驱动器提供卓越的保护,与传统的硅基MOSFET或IGBT相比,SiC MOSFET栅极驱动器的切换速度更快,因此容易发生过压事件。TPSMB系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压,确保在使用SiC MOSFET的各种要求苛刻的汽车电源应用中提高性能,包括:

  • 车载充电器 (OBC)
  • EV牵引逆变器
  • I/O接口
  • VCC总线

这些应用需要为SiC MOSFET栅极驱动器提供高性能过压保护(OVP),以确保最佳性能、寿命和效率。

Littelfuse保护业务产品管理总监Charlie Cai强调了该产品为汽车工程师带来的价值:“TPSMB非对称瞬态抑制二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新的解决方案,消除了对多个组件的需求,简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键的汽车电源系统免受过压事件的影响,为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”

TPSMB非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管具有以下主要特性和优势:

  • 单组件SiC MOSFET栅极驱动器保护: 无需使用多个齐纳或瞬态抑制二极管,简化设计并减少元件数量。
  • 非对称栅极驱动器电压保护: 设计用于保护需要不同负电压和正电压额定值的SiC MOSFET栅极驱动器。
  • 紧凑型设计: 该系列采用DO-214AA (SMB J-Bend)封装,是空间有限汽车设计的理想选择。
  • 汽车级质量: 符合AEC-Q101标准,确保汽车应用的最高可靠性。
  • 高功率耗损: 600W的峰值脉冲功率耗损(10×1000μs波形)可针对瞬态过压事件提供强大保护。
  • 低箝位电压: VC < 10 V @ 30 A (8/20 μs) 以获得最佳负栅极驱动保护。
  • 频率稳定性广: 在高达2 MHz的宽工作频率范围内具有稳定的电容,是SiC MOSFET应用的理想选择。
  • 与领先的碳化硅MOSFET兼容: 适合与Littelfuse和其他市场领先的汽车SiC MOSFET配合使用。
TPSMB不对称系列瞬态抑制二极管

供货情况

TPSMB非对称系列瞬态抑制二极管提供卷带封装,起订量3,000只。通过全球授权的Littelfuse经销商接受样品请求。如需了解Littelfuse授权经销商名单,请访问 Littelfuse.com

更多信息

可通过以下方式查看更多信息: TPSMB非对称系列瞬态抑制二极管产品页面.如需联系Charlie Cai获得技术支持,请访问Littelfuse网站,或直接与Charlie 联系: CCai@littelfuse.com.

关于Littelfuse

Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和打造更安全的世界提供动力。凭借覆盖超过20个国家的业务和约17,000名全球员工,我们与客户合作,设计和交付创新、可靠的解决方案。服务于超过100,000家最终客户,我们的产品每天应用于世界各地的各种工业、运输和电子终端市场。Littelfuse成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊斯州芝加哥。详情请访问 Littelfuse.com