IX4352NE - 带电荷泵的低侧驱动器系列

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IX4351NE专为驱动碳化硅MOSFET和大功率IGBT而设计。 独立的9A拉/灌电流输出,支持量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置,以提高dV/dt抗扰度和更快的关断速度。

去饱和检测电路可检测碳化硅MOSFET的过电流情况,并启动软关闭,从而防止潜在的破坏性dV/dt事件。 逻辑输入兼容TTL和CMOS;即使使用负栅极驱动偏置电压,该输入也不需要进行电平转换。 保护功能包括UVLO和热关断检测。 开漏故障输出向微控制器发出故障信号。

IX4351NE的额定工作温度范围为-40°C至+125°C,采用热增强型16引脚窄体SOIC封装。


特征和优势:

  • 匹配的上升和下降时间
  • 低传播延迟
  • 宽工作电压范围
参数 (将鼠标移到目标文字上面可显示详情) 数值
Peak Drive Current 9
Output Resistance Source / Sink (Ω) 2 / 1.5
Logic Configurations non-inverting
Enable Function No
Under Voltage Lockout Maximum Threshold (V) 10
Package Type 16-pin power SOIC with exposed thermal pad
Sample Request Yes
Check Stock Yes
Partner ECAD Models IX4352NE
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