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SP1255PUTG
3Ch 12kV 0.5pF瞬态抑制二极管阵列uDFN-6 | 系列号：SP1255P
SP1255PUTG将三通道超低电容控向二极管与低电压瞬态抑制二极管结合在一起，用于根据IEC 61000-4-2标准，为USB数据和ID引脚提供最大程度的ESD保护。还包括一个额外的12V瞬态抑制二极管，用于根据IEC 61000-4-5标准，为USB VBUS 引脚提供高达100A（tP=8/20μs）的雷击电涌保护。SP1255P可为当前的高强度应用，如快速充电设备，提供出色的保护。
SP1255P采用紧凑的2.0x1.8mm μDFN封装技术，其典型高度为0.55mm，是智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品的理想解决方案。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
CI/O TYP （pF） | 0.5 |
极性 | 双向 |
封装 | uDFN2018-6L |
ESD触点（kV） | 30 |
符合AEC-Q101标准 | 是 |
MIN VBR@IT (V) | 4.5 |
ESD空气（kV） | 30 |
I泄漏 （ μA ） | 0.1 |
动态电阻 | 0.3 |
闪电抗扰度（8x20μs）（A） | 4 |
通道 | 3 |
CMAX | 0.6 |
记录类型 | H |
设备描述 | 用于USB的0.5pF 12kV二极管阵列 |
箝位电压 | 6.6V@1A |
项目记录 | 0 |
VR（Vso） | 4 |
器件Description_string | 用于USB的0.5pF 12kV二极管阵列 |
箝位Voltage_string | 6.6V@1A |
- 符合RoHS标准，无铅
- 符合AEC-101
- 用于USB电压总线引脚（VBUS）
- IEC 61000-4-2 ESD 保护：接触式电压 ±30kV ，空气保护 ±30 kV
- EFT，IEC 61000-4-4,80 A（tP=5/50ns）
- 雷击，IEC 61000-4-5,100 A（tP=8/20μs）
- 保护VBUS工作电压最高为12V
- 基准设定保护
- 针对快速充电应用的高电流处理能力
- 用于USB数据引脚（D+、D-、ID）
SP1255PUTG 应用
- USB 2.0
- USB OTG
- μUSB
- USB2.0快速充电VBUS电路保护
SP1255PUTG资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SP1255PUTG | 3Ch 12kV 0.5pF瞬态抑制二极管阵列uDFN-6 |  7/19/2016 |  9/3/2015 |  CoC_RoHS10_SP1255PUTG | REACH_SVHC Declaration_SP1255PUTG.pdf | 不含 | 是7/19/2016 | IPC_SP1255PUTG_EAG | 查看更多 |
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