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IXD2012N
半桥DRVR 200V 1.4A SOIC（N）-8 | 系列号：高压侧和低压侧驱动器
IXD2012NTR是一款具有高压侧和低压侧输出的200 V高速栅极驱动器，设计用于驱动半桥配置中的N沟道MOSFET和IGBT。IXD2012NTR逻辑输入可与低至3.3 V的标准TTL和CMOS电平兼容，可轻松与控制设备连接。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
最大偏移电压 | 200V |
典型吸出峰值驱动电流 | 1.9A |
典型灌入峰值驱动电流 | 2.3A |
输入 | HIN / 林 |
死区时间 | 无 |
传播延迟 tON | 180ns |
传播延迟 tOFF | 220ns |
上升时间 tr | 30ns |
下降时间 tf | 20ns |
IC封装类型 | 8引脚SOIC |
- 200 VDC 浮动高压侧电压能力
- 1.9 A 拉电流 / 2.3 A 灌电流栅极驱动能力
- +10 V至+20 V VCC供电电压范围
- 兼容TTL / CMOS的逻辑输入
- -工作温度范围：40 ºC至+125 ºC
- 行业标准引脚布局
- 可驱动各种MOSFET和IGBT
- 在标准电源电压水平下工作
- 可通过大多数微控制器直接控制
- 最小交叉传导可最大程度地减少电路损耗
IXD2012N 应用
- DC-DC转换器
- AC-DC逆变器
- 电机控制器
- D级功率放大器
IXD2012N资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC's）声明 | REACH（SVHC's） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXD2012NTR | 半桥DRVR 200V 1.4A SOIC（N）-8 | 查看更多 |
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