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IXSG60N65L2K
TOLL封装碳化硅MOSFET | 系列号：碳化硅MOSFET
| 参数 | 数值 |
|---|---|
状态 | 有源 |
配置 | 单相 |
VDSS (V) | 650 |
RDS（ON），最高 @ 25 °C （Ω） | 40 |
ID， cont @ 25 °C （A） | 60 |
RthJC（K/W） | 0.6 |
TJ Max (°C) | 175 |
- 650 V阻断电压，低RDS(on) = 40 mΩ 或 60 mΩ
- 超快本征体二极管，trr在23ns至35ns之间
- 低输入电容，Ciss = 2000 pF或1218 pF
- 开尔文源极连接
- 低传导损耗，提高系统效率
- 适用于硬开关
- 支持高速开关
- 降低栅极驱动环路电感并改善开关性能
IXSG60N65L2K 应用
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源设备（SMPS）
- 电动汽车充电基础设施
- DC/DC转换器
- 工业电源
IXSG60N65L2K资源
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| 产品号 | 零件描述 | RoHS | 无铅 | RoHS（2015/863/EU）认证 | REACH（SVHC）声明 | REACH（SVHC） | 无卤素 | IPC-材料声明 | |
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