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SP1255P将三通道超低电容控向二极管与低电压瞬态抑制二极管结合在一起，用于根据IEC 61000-4-2标准，为USB数据和ID引脚提供最大程度的ESD保护。还包括一个额外的12V瞬态抑制二极管，用于根据IEC 61000-4-5标准，为USB VBUS 引脚提供高达100A（tP=8/20μs）的雷击电涌保护。SP1255P可为当前的高强度应用，如快速充电设备，提供出色的保护。
SP1255P采用紧凑的2.0x1.8mm μDFN封装技术，其典型高度为0.55mm，是智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品的理想解决方案。
- 符合RoHS标准，无铅
- 符合AEC-101
- 用于USB电压总线引脚（VBUS）
- ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电
- EFT，IEC 61000-4-4，80A（tP=5/50ns）
- 雷击，IEC 61000-4-5,100A（tP=8/20μs）
- 保护VBUS工作电压最高为12V
- 基准设定保护
- 针对快速充电应用的高电流处理能力
- 用于USB数据引脚（D+、D-、ID）
SP1255P 应用
- USB 2.0
- USB OTG
- μUSB
- USB2.0快速充电VBUS电路保护
