T0510VB45E - 平板型系列

Littelfuse Power Semiconductors W67 Image
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免责声明

Littelfuse产品并非为以下用途而设计,也不应被用于这些用途:包括但不限于汽车、航空航天、医疗、救生、维生、核设施、高可靠性应用、用于手术植入体内的装置,或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用。除非在适用的Littelfuse产品文档中已有明确说明。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途,则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途,则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可,否则Littelfuse产品的销售和使用应遵守Littelfuse销售条款与条件。 "Littelfuse"包括Littelfuse, Inc.及其所有附属实体。

作为压装IGBT技术的开创者,我们能够提供多种一流的器件,额定电压分别为1.7kV(900V直流链)、2.5kV(1.25kV直流链)、3.3kV(1.8kV直流链)、4.5kV(2.8kV直流链)以及6.5kV(3.6kV直流链)。 这些器件的构造完全不包含电线和焊接接缝,这几乎完全消除了传统模块无法避免的机械疲劳问题。 相比传统模块,栅极引线和发射极连接线中的内部杂散电感得以大幅减少,从而改进强度和短路特性,而芯片发射极侧的直接冷却也使这些性能得到了进一步的增强。   


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