IXD_609_AU - 低压侧驱动器系列

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IXDD609SI / IXDI609SI / IXDN609SI高速栅极驱动器特别适合驱动我们最新的MOSFET和IGBT。 IXD_609SI的高电流输出可以拉/灌9A峰值电流,同时产生小于25ns的电压上升和下降时间。 输入与CMOS兼容,几乎不受闩锁影响。  专利电路消除了交叉传导和电流“击穿”。 低传播延迟和快速、匹配的上升下降时间使这些器件成为高频和高功率应用的理想选择。

IXDD609SI被配置为具有使能功能的同相驱动器; IXDI609SI被配置为反相驱动器;IXDN609SI被配置为同相驱动器。

这些器件采用8引脚功率SOIC封装,具有裸露的金属背面,根据AEC-Q100要求完全符合汽车用途。

功能与特色:

  • 符合AEC-Q100标准
  • 9A峰值拉/灌驱动电流
  • 宽工作电压范围: 4.5V至35V
  • AEC-Q100 1级: -40°C至+125°C工作温度范围
  • 逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
  • 匹配的上升和下降时间
  • 低传播延迟时间
  • 10μA低电源电流
  • 低输出阻抗
参数 (将鼠标移到目标文字上面可显示详情) 数值
Output Type SINGLE
Peak Drive Current 9
Output Resistance Source / Sink (Ω) 1 / 0.8
Logic Configurations D, I, N
Enable Function Yes
Package Type 8-pin SOIC-EP
Sample Request Yes
Check Stock Yes
Partner ECAD Models IXD-609-AU
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