IXYN110N120C4H1 - 沟槽系列

系列: Trench
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免责声明

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这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。

这种IGBT具有650V至1200V的击穿电压,使其成为无缓冲硬开关应用的理想选择。 Other qualities include a positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient which enables designers to use multiple devices in parallel to meet high current requirements and low gate charges which help reduce gate drive requirements and switching losse

功能与特色:

  • 低Vcesat、低Eon/Eoff
  • 高浪涌电流能力和短路能力
  • 正热系数Vcesat

应用:

  • 电池充电器
  • 灯镇流器
  • 电机驱动器
  • 电源逆变器
  • 焊接机械

优点:

  • 硬开关功能
  • 高功率密度
  • 二极管正向电压的温度稳定性VF
  • 较低的栅极驱动要求
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