IXYT40N120A4HV - 沟槽系列

系列: Trench
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免责声明

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通过利用XPT™薄晶圆技术和第4代 (GenX4™) Trench IGBT流程,这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。 具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。 集电极至发射极电压温度系数为正,这使设计人员能够并联使用多个器件。 

功能与特色:

  • 较低的通态电压Vcesat
  • 正热系数Vcesat
  • 国际标准包装

应用:

  • 电池充电器
  • 灯镇流器
  • 电源逆变器
  • 不间断电源(UPS)
  • 焊接机

优点:

  • 高功率密度和高浪涌电流、低损耗应用的理想选择
  • 硬切换能力
  • 器件轻松并联
  • 降低栅极驱动要求
  • 易于替换和供应绝缘封装
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