Ultra Junction X-Class 系列 - 800V汽车级超级结X-Class功率MOSFET

Littelfuse Discrete MOSFETs Ultra Junction X-Class Image
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这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。 较低的通态电阻可减少传导损失;还能减少存储在输出电容中的能量,最大限度地减少开关损耗。 较低的栅极电荷可在轻负荷条件下提高效率,并降低栅极驱动要求。 此外,这些MOSFET经过雪崩评级,展现出一流的dv/dt性能。 此外凭借通态电压的正温度系数,它们还可并联工作以满足更高的电流要求。

功能与特色:

  • 国际标准封装
  • 高压封装
  • 较低的RDS(ON)和QG
  • 雪崩评级
  • 较低的封装电感

特色:

  • 大功率密度
  • 安装简便
  • 节省空间

应用:

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • PFC电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人和伺服控制

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Catalog #VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate Charge (nC)RthJC (K/W)ConfigurationPackage TypeCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)Part DatasheetPartner ECAD ModelsCompare
 
产品号VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)栅极电荷(nC)RthJC(K/W)配置封装
类型
CISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)产品规格书合作伙伴ECAD模型比较
 
IXFH40N80XA 8000.14540980.145单相TO-2473700200860产品 IXFH40N80XA
IXFH50N80XA 8000.105501520.14单相TO-2474480218890产品 IXFH50N80XA
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