Standard 系列 - 500V - 1700V N沟道耗尽型功率MOSFET

Littelfuse Discrete MOSFETs Standard Image
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与普通的增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此,这种器件可以保持在零栅偏压或更高的栅偏压,但同时具有与类似的MOSFET相似的特性。 此类产品适用于电平移动、固态继电器、电流调节器和有效负载。 

功能与特色:

  • “常开”运行状态
  • 线性模式容限
  • 内部标准封装
  • 拥有UL 94 V-0易燃性认证
    成型环氧树脂

 

应用:

  • 音频放大器
  • 启动电路
  • 保护电路
  • 斜坡发生器
  • 电流调节器
  • 有效负载

 

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Catalog #VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate Charge (nC)RthJC (K/W)ConfigurationPackage TypeCISS (pF)PD (W)VGS,off-max (V)CRSS (pF)Check StockPart DatasheetSPICE ModelPartner ECAD ModelsStockSamplesCompare
  
产品号VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)栅极电荷(nC)RthJC(K/W)配置封装
类型
CISS (pF)PD (W)VGS,关闭-最大 (V)CRSS (pF)查看库存产品规格书SPICE模型合作伙伴ECAD模型库存样品比较
  
IXTA1N170DHV 1700161470.43单相TO-263HV3090290-4.530产品 SPICEIXTA1N170DHV Check
IXTH10N100D 10001.4101300.31单相TO-2472500400-3.5100产品  IXTH10N100D
IXTH1N170DHV 1700161470.43单相TO-247HV3090290-4.530产品  IXTH1N170DHV Check
IXTP01N100D 1000800.15.85单相TO-22010025-4.52产品  IXTP01N100D Check订购
IXTP02N50D 500300.255单相TO-22012025-55产品  IXTP02N50D Check
IXTT10N100D 10001.4101300.31单相TO-268S2500400-3.5100产品  IXTT10N100D Check
IXTU01N100D 1000800.15.85单相TO-25110025-4.52产品  IXTU01N100D订购
IXTU02N50D 500300.255单相TO-25112025-55产品  IXTU02N50D Check
IXTY01N100D 1000800.15.85单相TO-25210025-4.52产品  IXTY01N100D Check订购
IXTY02N50D 500300.255单相TO-25212025-55产品  IXTY02N50D Check
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