IXFR32N100Q3 - Q3-Class系列

系列: Q3-Class
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免责声明

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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和高能效的广泛器件。 Q3级系列的漏极-源极电压额定值为200V–1000V,漏极电流额定值为10A–100A,具有低通态电阻(Rdson)和栅极电荷(Qg)的最优组合,从而显著减少了 器件的导通和开关损耗。

电源开关功能和器件的耐用性通过采用我们久经考验的HiPerFETTM流程得到进一步增强,打造出一款具有快速本征整流器的器件,在提供较低反向恢复电荷(Qrr)的同时提高了器件的换向dV/dt额定值(高达50V/ns)。

 

功能与特色:

  • 每个硅片面积的Rdson较低
  • 较低的Qg和Qgd
  • 卓越的dV/dt性能
  • 高速开关
  • 快速本征整流器
  • 较低的本征栅极电阻
  • 较高的雪崩能量性能
  • 卓越的热性能

应用:

  • 功率因数校正
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 服务器和通信电源系统
  • 弧焊
  • 等离子切割
  • 感应加热
  • 太阳能发电系统
  • 电机控制

优点:

  • 安装简便
  • 大功率密度
  • 节省空间
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