Multi-Chip Configurations 系列 - 采用降压/升压/其他配置的600V N通道超级结功率MOSFET

Littelfuse Discrete MOSFETs Multi-Chip Configurations Image
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免责声明

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此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。 内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。 这些器件经过了雪崩评级,因此可确保稳定可靠的运行。

功能与特色:

  • 硅片固定在直接敷铜基板上
  • 第4代快速CoolMOS™(1)功率MOSFET
  • 增强的总功率密度
  • HiPerDyn™ FRED

应用:

  • 开关模式电源设备
  • 不间断电源
  • 功率因数校正(PFC)

优点:

  • 易于组装
  • 节省空间
  • 高功率密度
  • 高度可靠


(1) CoolMOS™是Infineon Technologies AG的商标。

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Catalog #VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)Gate Charge (nC)RthJC (K/W)ConfigurationPackage TypeCISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)VISOL,RMS (V)Check StockPart DatasheetPartner ECAD ModelsStockCompare
 
产品号VDSS (V)RDS(ON),max @ 25 ℃ (Ohm)ID, cont @ 25 ℃ (A)栅极电荷(nC)RthJC(K/W)配置封装
类型
CISS (pF)trr,typ (ns)PD (W)VISOL,RMS (V)查看库存产品规格书合作伙伴ECAD模型库存比较
 
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