IXFN360N10T - Gen1系列

系列: Gen1
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免责声明

Littelfuse产品并非为以下用途而设计,也不应被用于这些用途:包括但不限于汽车、航空航天、医疗、救生、维生、核设施、高可靠性应用、用于手术植入体内的装置,或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用。除非在适用的Littelfuse产品文档中已有明确说明。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途,则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途,则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可,否则Littelfuse产品的销售和使用应遵守Littelfuse销售条款与条件。 "Littelfuse"包括Littelfuse, Inc.及其所有附属实体。

沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处于恶劣环境中的要求苛刻的类似应用。

功能与特色:

  • 国际标准包装
  • 低RDS(ON)
  • 雪崩评级
  • 高电流处理能力
  • 快速本征整流器

优点:

  • 安装简便
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用:

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 不间断电源
  • AC电机驱动器
  • 直流斩波器
  • 高速电源开关应用
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