IXTA28P065T - 沟槽栅系列

Littelfuse Power Semi TO-263 3 1S2C image
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免责声明

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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱动电路,避免使用N通道MOSFET通常涉及的额外“高压侧”驱动电路。 这让设计人员可以减少元件数量,从而简化驱动电路并改善整体元件成本结构。 此外,它还支持采用对应的N通道MOSFET设计互补功率输出级,将功率半桥级与简单的驱动电路配对。

功能与特色:

  • 快速本征二极管
  • 较低的Qg和RDSon
  • 雪崩评级
  • 加大的FBSOA
  • 国际标准包装

优点:

  • 较低的栅极电荷可简化驱动要求
  • 高功率密度
  • 快速切换

应用:

  • 高压侧开关
  • 负载开关
  • 低电压应用
  • 高效开关电源
  • 逆变器和电池充电器
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