IXBH24N170 - 高压系列

Littelfuse Power Semi TO-247 3 H 2Sq 1W2N 3L image
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免责声明

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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择,因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。 此外,“自由”本征体二极管还可用作保护二极管,为器件关断期间的电感负载电流提供替代路径,防止高Ldi/dt瞬态电压损坏器件。

功能与特色:

  • 高阻断电压
  • 高功率密度
  • 高电流处理能力
  • 低传导损耗
  • MOS栅极开启简单便捷
  • 国际标准和专有ISOPLUSTM封装

特色:

  • 无需采用多个串并联的低压、低额定电流
    器件
  • 简化系统设计
  • 提高可靠性
  • 减少元件数量
  • 降低系统成本

应用:

  • 雷达传感器电源
  • 雷达脉冲调制器
  • 电容放电电路
  • 高压电源
  • AC开关
  • HV断路器
  • 脉冲电路
  • 高压测试设备
  • 激光和X射线发生器
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