MOS Gated Thyristor 系列 - MOS栅控晶闸管

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  • 专为大功率脉冲和电容放电应用而设计 
  • 由施加在栅极的电压接通(MOS结构) 
  • 能够在1微秒的时间内承载高达32kA的电流 
  • 高功率密度 
  • 较低的栅极驱动要求
  • 提供专有封装: 产品线介绍(1500V MOS栅控晶闸管) 
    • 可表面贴装的SMPD和Mini-SMPD
    • 国际标准TO-247的高压版本: TO-247HV和TO-247PLUS-HV 

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Catalog #StatusVDM(V)ITSM 1μs TC = 25°C (kA)ITSM 10μs TC = 25°C(kA)VT (V)rT (mOhm)Qg(on) (nC)tri TC = 25°C (ns)VGK(th) (V)Co-pack DiodePackage TypePart DatasheetSamplesCompare
 
产品号状态VDM(V)ITSM 1μs TC = 25°C (kA)ITSM 10μs TC = 25°C(kA)VT (V)rT (mOhm)Qg(on) (nC)tri TC = 25°C (ns)VGK(th) (V)共封装二极管封装
类型
产品规格书样品比较
 
IXHH40N150HV Active15007.63.57.51.2991005TO-247HV产品 Order
IXHX40N150V1HV Active15007.63.57.51.2991005TO-247 PLUS-HV产品
MMIX1H60N150V1 Active15003211.87.51.21801005SMPD产品 Order
MMJX1H40N150 Not for New Designs150015.56.461.2991005SSMPD产品
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