MMJX1H40N150 - MOS栅控晶闸管系列

系列: MOS Gated Thyristor
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MOS栅控晶闸管专为大功率脉冲和电容放电应用而设计,由施加在栅极的电压接通(MOS结构)。 能够在1微秒的时间内承载高达32kA的电流
参数 (将鼠标移到目标文字上面可显示详情) 数值
Status Not for New Designs
VDM 1500
ITSM1TC25C 15.5
ITSM10TC25C 6.4
VT 6
Slope Resistance Thyristor mOhm 1.2
Qg 99
triTC25C 100
VGK th 5
Co packDiode No
Sample Request No
Package Type SSMPD
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