免责声明
Littelfuse产品并非为以下用途而设计,也不应被用于这些用途:包括但不限于汽车、航空航天、医疗、救生、维生、核设施、高可靠性应用、用于手术植入体内的装置,或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用。除非在适用的Littelfuse产品文档中已有明确说明。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途,则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途,则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可,否则Littelfuse产品的销售和使用应遵守Littelfuse销售条款与条件。 "Littelfuse"包括Littelfuse, Inc.及其所有附属实体。
GenX3™ IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。
300V GenX3™ IGBT提供高达150 kHz的开关性能,电流范围在42A至120A之间。 由于兼具高开关速度和低传导损耗,它为电源设计人员提供了开关应用的全新高价值选择。 这些UIS额定设备坚固可靠,可媲美多数坚固的电源MOSFET。
600V GenX3™针对高电流应用进行了优化,这类应用需要高达200 kHz的软开关频率和40 kHz的硬开关频率。 这些器件采用了我们久经考验的打穿(PT)技术,该技术可提高浪涌电流性能、降低饱和电压及减少能量损失,为设计人员提供600V范围下开关应用的全新可行方案。
1200V GenX3™采用了我们先进的打穿(PT)技术以降低饱和电压、减少开关损耗并提高浪涌电流性能。 这一 不断扩增的产品线针对高压电源转换市场。
为实现最优的产品选择,设计人员可从A3、B3和C3这三个子类别中进行选择。 这些分类可提供更高的系统设计灵活性,并让设计人员能够平衡开关频率、效率和成本等关键要求。
功能与特色:
- 高电流处理能力
- 国际标准包装
- 针对低导通和开关损耗进行了优化
- 超快反并联二极管(可选)
- 雪崩评级
- 方形RBSOA
- 300V范围内MOSFET的低成本替代选择
- MOS栅极开启简单便捷
- 高频IGBT
应用:
- 电源逆变器
- UPS
- 电机驱动器
- SMPS
- PFC电路
- 电池充电器
- 焊接机
- 灯镇流器
- 突入电流保护电路
- 直流斩波器
- 感应加热
- 太阳能系统逆变器
- 功率因数校正电路
- 不间断电源设备
- 开关模式电源
- 电机控制(ACAC/DC电机)
- 电容放电开关