CPC3960 - N沟道耗尽型MOSFET系列

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我们的N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一种耐用的器件。 这些高度可靠的FET器件广泛用于工业和电信应用的固态继电器中。

功能与特色:

  • 器件常开
  • 高击穿电压
  • 低通态电阻
  • 低VGS(关断)电压
  • 低温下具有低通态电阻
  • 高输入阻抗
  • 低输入和输出泄漏电流
  • 小封装尺寸: SOT-23,SOT-89和SOT-223

应用:

  • 常开开关
  • 点火模块
  • 电源
  • 电信
  • 支持LITELINK器件
参数 (将鼠标移到目标文字上面可显示详情) 数值
RDS(on) (Ω) 44
BVDSX (V) 600
VGS(off)_min (V) -1.4
VGS(off)_max (V) -3.1
IDSS_min (mA) 100
Package Type SOT-223
Sample Request Yes
Check Stock Yes
Partner ECAD Models CPC3960
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