N-Channel Depletion-Mode MOSFETs 系列 -

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耗尽型MOSFET器件

我们的N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)采用专有的第三代垂直DMOS工艺,在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一种耐用的器件。 这些高度可靠的FET器件广泛用于工业和电信应用的固态继电器中。


特征和优势:

  • 常闭,不通电
  • 低VGS(off)电压
  • 高输入阻抗

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Catalog #BVDSX (V)RDS(on) (Ω)VGS(off)_min (V)VGS(off)_max (V)IDSS_min (mA)Package TypePart DatasheetPartner ECAD ModelsStockSamplesCompare
 
产品号BVDSX(V)RDS(on)(Ω)VGS(off)_min(V)VGS(off)_max(V)IDSS_min(mA)封装
类型
产品规格书合作伙伴ECAD模型库存样品比较
 
CPC3701 601-1.4-3.1600SOT-89产品 CPC3701查看 Order
CPC3703 2504-1.6-3.9360SOT-89产品 CPC3703查看 Order
CPC3708 35014-2-3.6130SOT-89, SOT-223产品 CPC3708查看 Order
CPC3710 25010-1.6-3.9220SOT-89产品 CPC3710查看 Order
CPC3714 35014-1.6-3.9240SOT-89产品 CPC3714查看 Order
CPC3720 35022-1.6-3.9130SOT-89产品 CPC3720查看 Order
CPC3730 35035-1.6-3.9140SOT-89产品 CPC3730查看 Order
CPC3902 2502.5-1.4-3.1400SOT-223产品 CPC3902查看 Order
CPC3909 4006-1.4-3.1300SOT-89, SOT-223产品 CPC3909查看 Order
CPC3960 60044-1.4-3.1100SOT-223产品 CPC3960查看 Order
CPC3980 80045-1.4-3.1100SOT-223产品 CPC3980查看 Order
CPC3981 80045-1.4-3.1100SOT-223-2L产品 CPC3981查看 Order
CPC3982 800380-1.4-3.120SOT-23产品 CPC3982查看 Order
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