CPC3981 - N沟道耗尽型MOSFET系列

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耗尽型MOSFET器件

我们的N沟道耗尽型场效应晶体管(FET)采用专有的第三代垂直DMOS工艺,在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一种耐用的器件。 这些高度可靠的FET器件广泛用于工业和电信应用的固态继电器中。


特征和优势:

  • 常闭,不通电
  • 低VGS(off)电压
  • 高输入阻抗
参数 (将鼠标移到目标文字上面可显示详情) 数值
RDS(on) (Ω) 45
BVDSX (V) 800
VGS(off)_min (V) -1.4
VGS(off)_max (V) -3.1
IDSS_min (mA) 100
Package Type SOT-223-2L
Sample Request Yes
Check Stock Yes
Partner ECAD Models CPC3981
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