LSIC1MO120E0160 系列 - 增强模式碳化硅MOSFET,1200 V,160 mOhm,N通道

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Littelfus碳化硅(SiC)MOSFET LSIC1MO120E0160 1200 V额定电压为1200 V,额定电阻为160 mOhm,采用TO-247-3L封装。

功能与特色:

  • 专为高频、高效应用优化
  • 极低栅极电荷和输出电容
  • 低栅极电阻,适用于高频开关
  • 在各种温度条件下保持常闭状态
  • 超低导通电阻

应用:

  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源设备
  • UPS
  • 电机驱动器
  • 高压直流/直流转换器
  • 感应加热

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Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)RoHSTJ Max (°C)Check StockPartner ECAD ModelsStockSamples
产品号额定电压(V)导通电阻典型值(mOhm)额定电流(A)栅极电荷(nC)配置驱动电压(V)转换能量(uJ)RoHSTJ Max (°C)查看库存合作伙伴ECAD模型库存样品
LSIC1MO120E0160 12001601457N-Channel20/-5136150LSIC1MO120E0160 Check订购
产品编号 零件描述 RoHS 无铅 RoHS (2015/ 863/EU)认证 REACH(SVHC's)声明 无卤素 REACH(SVHC's) IPC-材料声明
LSIC1MO120E0160 1200V/160mohm SiC MOSFET TO-247-3L RoHS 08/02/2021 PbFree 08/02/2021 CoC_RoHS9_LSIC1MO120E0160 Yes
08/02/2021
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