LSIC1MO170E1000 系列 - 增强模式碳化硅MOSFET,1700 V,1 Ohm,N通道

系列: LSIC1MO170E1000
更换为 LSIC1MO170E0750 供货情况: 逐渐淘汰/淘汰

联系工厂。

有问题? 联系Littelfuse支持小组
Power Semiconductor Silicon Carbide LSIC1MO170E1000 Image
滚动放大
免责声明

Littelfuse产品并非为以下用途而设计,也不应被用于这些用途:包括但不限于汽车、航空航天、医疗、救生、维生、核设施、高可靠性应用、用于手术植入体内的装置,或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用。除非在适用的Littelfuse产品文档中已有明确说明。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途,则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途,则Littelfuse不会为因此造成的任何索赔或损失承担责任。 除非经Littelfuse另行许可,否则Littelfuse产品的销售和使用应遵守Littelfuse销售条款与条件。 "Littelfuse"包括Littelfuse, Inc.及其所有附属实体。

Littelfuse碳化硅(SiC) MOSFET LSIC1MO170E1000额定电压为1700 V,1 Ohm,采用TO-247-3L封装。 

功能与特色:
  • 专为高频、高效应用优化
  • 极低栅极电荷和输出电容
  • 低栅极电阻,适用于高频开关
  • 在各种温度条件下保持常闭状态
  • 超低导通电阻

应用:

  • 太阳能逆变器
  • 开关式电源
  • UPS
  • 电机驱动器
  • 高压DC/DC转换器
  • 感应加热

请在下方查看规格、认证和存货情况并订购零部件

Catalog #Voltage Rating (V)Typical On-Resistance (mOhm)Current Rating (A)Gate Charge (nC)ConfigurationDriving Voltages (V)Switching Energy (uJ)RoHSTJ Max (°C)Replaced By PartPartner ECAD Models
产品号额定电压(V)导通电阻典型值(mOhm)额定电流(A)栅极电荷(nC)配置驱动电压(V)转换能量(uJ)RoHSTJ Max (°C)更换为零件合作伙伴ECAD模型
LSIC1MO170E1000
已淘汰: 2023 -11-09
更换为: LSIC1MO170E0750
17007503.515N-Channel20/-584150LSIC1MO170E0750LSIC1MO170E1000
产品编号 零件描述 RoHS 无铅 RoHS (2015/ 863/EU)认证 REACH(SVHC's)声明 无卤素 REACH(SVHC's) IPC-材料声明
LSIC1MO170E1000 1700V/1000mohm SiC MOSFET TO-247-3L RoHS 02/01/2021 PbFree 02/01/2021
02/01/2021
如果您要查找的产品环境信息未出现在此选项卡中,
请填写 产品环境信息申请表