AQ1003-01LTG - AQ1003-01LTG系列

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这款AQ1003-01LTG分立式瞬态抑制二极管采用专有硅雪崩技术,可保护电子设备输入/输出引脚免受破坏性静电放电(ESD)的影响。 这款可靠的瞬态抑制二极管可耐受±30kV的重复性接触放电或空气ESD放电,且性能不会下降。 这超过了IEC 61000-4-2的ESD接触放电和空气放电测试要求。此外,这款瞬态抑制二极管能够承受IEC 61000-4-5第2版中定义的8/20浪涌电流事件,最高可达7A,并且仍能提供低箝位电压。

特征和优势:

  • ESD,IEC 61000-4-2,±30kV接触放电,±30kV空气放电
  • EFT,IEC 61000-4-4,40A(5/50ns)
  • 雷击,7A (IEC 61000-4-5第2版中定义的8/20μs)
  • 5V下的(最大)低泄漏电流为100μA
  • 符合PPAP要求
  • 符合AEC-Q101
  • 湿度灵敏性等级(MSL -1)
  • 无卤素,无铅,符合RoHS
  • ESD, ISO 10605, 330pF 330Ω, ±25kV 接触放电, ±30kV空气放电

应用:

  • 手机
  • 智能电话
  • PDA
  • 便携式导航器件
  • 数码相机
  • 便携式医疗器件
  • 汽车应用

产品编号 零件描述 RoHS 无铅 RoHS (2015/ 863/EU)认证 REACH(SVHC's)声明 无卤素 REACH(SVHC's) IPC-材料声明
AQ1003-01LTG 1Ch 30KV 30pF 5V Uni TVS Diode SOD523 RoHS 07/28/2016 PbFree 07/28/2016 CoC_RoHS10_AQ1003-01LTG REACH_SVHC Declaration_AQ1003-01LTG.pdf
11/04/2019
不含 IPC_AQ1003-01LTG_EF
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